Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 4, страницы 657–661 (Mi phts653)  

Насыщение усиления при прямых оптических переходах в валентной зоне германия

Ю. К. Пожела, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов
Аннотация: Рассмотрен нелинейный режим взаимодействия горячих дырок Ge и генерируемого ими дальнего ИК излучения в условиях инверсии прямых оптических переходов между легкой и тяжелой подзонами в ${E\perpB}$ полях. Показано, что насыщение коэффициента усиления во всей спектральной полосе инверсии носит резко неоднородный характер, приводящий к эффекту выжигания. Возникновение последнего связано с резонансным переходом легких дырок в тяжелую подзону с траекторией, радиусы циклотронного вращения которых в импульсном пространстве малы. Рассмотрена зависимость эффекта выжигания от поляризации излучения.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. К. Пожела, Е. В. Стариков, П. Н. Шикторов, “Насыщение усиления при прямых оптических переходах в валентной зоне германия”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 657–661
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Poz87}
\by Ю.~К.~Пожела, Е.~В.~Стариков, П.~Н.~Шикторов
\paper Насыщение усиления при прямых оптических переходах в~валентной зоне
германия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1987
\vol 21
\issue 4
\pages 657--661
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts653}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts653
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i4/p657
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:61
    PDF полного текста:26
     
      Обратная связь:
    math-net2025_03@mi-ras.ru
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025