С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, Н. Ю. Коннова, А. В. Нежданов, И. Ю. Пашенькин, “Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1561–1564; Semiconductors, 50:11 (2016), 1539

Физика и техника полупроводников

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Правила для авторов

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 11, страницы 1561–1564 (Mi phts6325)

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света

С. М. Планкина^a, О. В. Вихрова^b, Ю. А. Данилов^a, Б. Н. Звонков^b, Н. Ю. Коннова^a, А. В. Нежданов^a, И. Ю. Пашенькин^a

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

PDF полного текста (270 kB) Список цитирования (6)

Аннотация: Методом сканирующей конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния света исследована кристаллическая структура GaAs, облученного ионами Mn

^{+}

$^{+}$ с последующим импульсным лазерным отжигом. Сканирование поперечного скола образцов показало, что в результате лазерного отжига она полностью восстанавливается на всю глубину имплантации. Обнаружено рассеяние на связанной фонон-плазмонной моде, свидетельствующее об электрической активации примеси при дозах марганца выше 1

\cdot

$\cdot$ 10

^{16}

$^{16}$ см

^{- 2}

$^{-2}$ . На примере данных исследований продемонстрированы возможности метода сканирующей конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния света при исследовании поперечного скола структур, а на тестовом образце c

δ

$\delta$ -слоем углерода установлено, что латеральное разрешение метода составляет 300 нм.

Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016

Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 11, Pages 1539–1542
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261611021X

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, Н. Ю. Коннова, А. В. Нежданов, И. Ю. Пашенькин, “Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1561–1564; Semiconductors, 50:11 (2016), 1539–1542

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{PlaVikDan16}

\by С.~М.~Планкина, О.~В.~Вихрова, Ю.~А.~Данилов, Б.~Н.~Звонков, Н.~Ю.~Коннова, А.~В.~Нежданов, И.~Ю.~Пашенькин

\paper Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света

\jour Физика и техника полупроводников

\yr 2016

\vol 50

\issue 11

\pages 1561--1564

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6325}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369049}

\transl

\jour Semiconductors

\yr 2016

\vol 50

\issue 11

\pages 1539--1542

\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261611021X}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/phts6325

https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i11/p1561

Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:

I. V. Samartsev, B. N. Zvonkov, N. V. Baidus, A. B. Chigineva, K. S. Zhidyaev, N. V. Dikareva, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Rykov, S. M. Plankina, A. V. Nezhdanov, A. V. Ershov, “MOCVD Growth of InGaAs Metamorphic Heterostructures for Photodiodes with Low Dark Current”, Semiconductors, 58:5 (2024), 451
С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, Д. А. Павлов, И. Ю. Пашенькин, А. А. Сушков, “Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1233–1236 ; S. M. Plankina, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, S. Yu. Zubkov, R. N. Kriukov, A. V. Nezhdanov, D. A. Pavlov, I. Yu. Pashen'kin, A. A. Sushkov, “On the combined application of raman spectroscopy and photoluminescence spectroscopy for the diagnostics of multilayer heterostructures”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1207–1210
И. В. Самарцев, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, И. Ю. Пашенькин, Н. В. Дикарева, А. Б. Чигинева, “Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1460–1463 ; I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, I. Yu. Pashen'kin, N. V. Dikareva, A. B. Chigineva, “Photodetectors with an InGaP active region and InGaP metamorphic buffer layer grown on GaAs substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1564–1567
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, А. В. Нежданов, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, И. Ю. Пашенькин, С. М. Планкина, “Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A $^{3}$ B $^{5}$ импульсным лазерным отжигом”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2130–2134 ; O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, A. V. Nezhdanov, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, I. Yu. Pashen'kin, S. M. Plankina, “Modification of the properties of ferromagnetic layers based on A $^{3}$ B $^{5}$ compounds by pulsed laser annealing”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2150–2154
С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, А. В. Нежданов, И. Ю. Пашенькин, “Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1510–1513 ; S. M. Plankina, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, A. V. Nezhdanov, I. Yu. Pashen'kin, “Cleaved-edge photoluminescence spectroscopy of multilayer heterostructures”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1456–1459
В. А. Володин, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, А. И. Никифоров, “Расщепление частот оптических фононов в растянутых слоях германия”, Письма в ЖЭТФ, 105:5 (2017), 305–310 ; V. A. Volodin, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, A. I. Nikiforov, “Splitting of frequencies of optical phonons in tensile-strained germanium layers”, JETP Letters, 105:5 (2017), 327–331

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	62
PDF полного текста:	16

Обратная связь:
math-net2025_04@mi-ras.ru

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы