Processing math: 100%
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 5, страница 500 (Mi phts5826)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Excitons in Nanostructures

Dangling bond spins controlling recombination dynamics of excitons in colloidal nanocrystals and nanoplatelets

A. V. Rodinaa, A. A. Golovatenkoa, E. V. Shornikovabc, D. R. Yakovlevab, A. L. Efrosd

a Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
b Experimentelle Physik 2, Technische Universität Dortmund, 44227 Dortmund, Germany
c Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, 630090 Novosibirsk, Russia
d Naval Research Laboratory, Washington DC 20375, USA
PDF полного текста (28 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: We show theoretically that spins of dangling bonds (DBSs) at the surface of colloidal nanostructures can be responsible for the dark exciton radiative recombination governing low temperature photoluminecence. The DBS-assisted dark exciton recombination is efficient when all spins are randomly oriented. The DBS polarization caused by external magnetic field or by the formation of the dangling bond magnetic polaron (DBMP) at low temperatures suppresses the DBS-assisted recombination. The temperature or magnetic field control on the DBS-polarization allows to detect experimentally the presence of DBS and DBS-assisted recombination in CdSe nanocrystals and 2D nanoplatelets.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.Z50.31.0021
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-01063
Deutsche Forschungsgemeinschaft ICRC TRR 160
This work has been supported in part by the Government of Russia (project number 14.Z50.31.0021, leading scientist M.Bayer), by the RFBR (Grant No 17-02-01063), and by the Deutsche Forschungsge- meinschaft in the frame of ICRC TRR 160.
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 5, Pages 572–574
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618050263
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. V. Rodina, A. A. Golovatenko, E. V. Shornikova, D. R. Yakovlev, A. L. Efros, “Dangling bond spins controlling recombination dynamics of excitons in colloidal nanocrystals and nanoplatelets”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 500; Semiconductors, 52:5 (2018), 572–574
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RodGolSho18}
\by A.~V.~Rodina, A.~A.~Golovatenko, E.~V.~Shornikova, D.~R.~Yakovlev, A.~L.~Efros
\paper Dangling bond spins controlling recombination dynamics of excitons in colloidal nanocrystals and nanoplatelets
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 500
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5826}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740364}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 572--574
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618050263}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5826
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i5/p500
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:92
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025