Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 2, страницы 321–324 (Mi phts576)  
Краткие сообщения

Влияние одноосного давления на нестационарную емкостную спектроскопию глубоких уровней в Si⟨Zn⟩

А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, В. Экке
PDF полного текста (549 kB)
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, В. Экке, “Влияние одноосного давления на нестационарную емкостную спектроскопию глубоких уровней в Si⟨Zn⟩”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 321–324
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Leb87}
\by А.~А.~Лебедев, Н.~А.~Султанов, В.~Экке
\paper Влияние одноосного давления на нестационарную емкостную
спектроскопию глубоких уровней в~Si$\langle$Zn$\rangle$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1987
\vol 21
\issue 2
\pages 321--324
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts576}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts576
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i2/p321
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025