Аннотация:
Представлены результаты исследований торцевых лазеров с квантовыми ямами, в которых используется слоевая конструкция со связанными планарными волноводами, позволяющая подавить генерацию возбужденных мод. При этом достигаются низкие внутренние потери (0.4 см−1−1) в сочетании с малой глубиной (∼∼0.9 мкм) залегания активной области, приводящей к низкому тепловому сопротивлению 6.0 (K/Вт) ⋅⋅ мм без использования сабмаунта.
Образец цитирования:
А. Е. Жуков, Н. Ю. Гордеев, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, А. А. Серин, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, “Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1351–1356; Semiconductors, 52:11 (2018), 1462–1467
Lili Han, Zhaowei Wang, Nikita Yu. Gordeev, Mikhail V. Maximov, Xiansheng Tang, Artem A. Beckman, Grigoriy O. Kornyshov, Alexey S. Payusov, Yuri M. Shernyakov, Alexey E. Zhukov, Kuilong Li, Ruizhan Zhai, Zhongqing Jia, He Yang, Wei Zhang, “Progress of Edge-Emitting Diode Lasers Based on Coupled-Waveguide Concept”, Micromachines, 14:6 (2023), 1271
Н. А. Волков, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом”, Квантовая электроника, 51:2 (2021), 133–136; N. A. Volkov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, Yu. L. Ryaboshtan, V. N. Svetogorov, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Semiconductor AlGaInAs/InP lasers (λ = 1450 – 1500 nm) with a strongly asymmetric waveguide”, Quantum Electron., 51:2 (2021), 133–136
К. Ю. Телегин, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Н. А. Волков, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, А. Н. Апарников, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк, “Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 50:5 (2020), 489–492; K. Yu. Telegin, M. A. Ladugin, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, N. A. Volkov, A. A. Padalitsa, A. V. Lobintsov, A. N. Aparnikov, S. M. Sapozhnikov, A. A. Marmalyuk, “The influence of waveguide doping on the output characteristics of AlGaAs/GaAs lasers”, Quantum Electron., 50:5 (2020), 489–492