Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 964–970
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47875.8927
(Mi phts5463)
 

Эта публикация цитируется в 19 научных статьях (всего в 19 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Размерная зависимость температуры плавления наночастиц кремния: молекулярно-динамическое и термодинамическое моделирование

И. В. Талызин, М. В. Самсонов, В. М. Самсонов, М. Ю. Пушкарь, В. В. Дронников

Тверской государственный университет
Аннотация: Размерная зависимость температуры плавления наночастиц Si исследовалась с использованием как молекулярно-динамического, так и термодинамического моделирования, основывающегося на применении формулы Томсона. Результаты атомистического моделирования, полученные с использованием потенциала Стиллинджера-Вебера, согласуются с результатами других авторов, а также с результатами термодинамического моделирования и предсказывают уменьшение температуры плавления TmTm наночастиц Si с увеличением их обратного радиуса R1R1 по линейному закону. Имеющиеся экспериментальные данные предсказывают более низкие значения TmTm, включая предельное значение T()mT()m, отвечающее линейной экстраполяции экспериментальных точек к R10R10 (т. е. к радиусу RR), причем занижение составляет 200–300 K по сравнению с табличным значением температуры плавления кремния (1688 K). Учитывая это, сделан вывод о том, что молекулярно-динамические результаты для Tm(R1)Tm(R1), полученные с использованием потенциала Стиллинджера–Вебера, являются более адекватными, чем имеющиеся экспериментальные данные.
Ключевые слова: нанокремний, температура плавления, размерная зависимость, молекулярная динамика, термическое моделирование.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-43-690001
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.5506.2017/БЧ
Работа выполнена в Тверском государственном университете при финансовой поддержке РФФИ (грант № 18-43-690001) и Министерства образования и науки Российской Федерации в рамках выполнения государственного задания в сфере научной деятельности (проект № 3.5506.2017/БЧ).
Поступила в редакцию: 05.06.2018
Исправленный вариант: 27.02.2019
Принята в печать: 28.02.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 7, Pages 947–953
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070236
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Талызин, М. В. Самсонов, В. М. Самсонов, М. Ю. Пушкарь, В. В. Дронников, “Размерная зависимость температуры плавления наночастиц кремния: молекулярно-динамическое и термодинамическое моделирование”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 964–970; Semiconductors, 53:7 (2019), 947–953
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TalSamSam19}
\by И.~В.~Талызин, М.~В.~Самсонов, В.~М.~Самсонов, М.~Ю.~Пушкарь, В.~В.~Дронников
\paper Размерная зависимость температуры плавления наночастиц кремния: молекулярно-динамическое и термодинамическое моделирование
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 964--970
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5463}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47875.8927}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133324}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 947--953
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619070236}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5463
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p964
  • Эта публикация цитируется в следующих 19 статьяx:
    1. Xiangyu Chen, Nam Q. Le, Paulette Clancy, “Diffusion-Limited Crystal Growth of Gallium Nitride Using Active Machine Learning”, Crystal Growth & Design, 24:7 (2024), 2855  crossref
    2. Niklas Wolff, Maren Dworschak, Jan Benedikt, Lorenz Kienle, “Transmission Electron Microscopy Investigation of Self‐assembled 'Si/Mn4Si7‐Alloy' Janus Nanosphere Architectures Produced by a HelixJet Atmospheric Plasma Source”, Part & Part Syst Charact, 41:3 (2024)  crossref
    3. Mingdong Liao, Xiebo Hu, Chenghao Zhong, Ping Xu, Xiaodong Wang, Ze Zhang, Peng Zhou, Mingyu Zhang, Zhean Su, Qizhong Huang, “Controlling the Si/C ratio in SiC matrix based on the modified polymethysilane for C/C–SiC composites with enhanced mechanical properties”, Journal of Advanced Ceramics, 13:2 (2024), 220  crossref
    4. Jiahao Wu, Jingying Huang, Tonglin Liu, Bareera Raza, Ni Li, Yang Hu, Youkun Tao, Jing Shao, “Construction of Thermally Robust SERS Nanostructure for High-Temperature In Situ Analysis”, ACS Appl. Opt. Mater., 2:8 (2024), 1667  crossref
    5. Soyoung Heo, Seulbi Kim, Seung Yeon Lee, In Hye Kwak, Jaeyoon Baik, Heejun Yang, Ji Hun Park, Suyeon Cho, “Thermal-protective and oxygen-resistant nanocoating using silica-nanocomposites for laser thinning of polymorphic molybdenum ditellurides”, Applied Surface Science, 638 (2023), 157958  crossref
    6. Chemistry of Semiconductors, 2023, 270  crossref
    7. M.Y. Yang, G.H. Tang, Q. Sheng, L. Guo, H. Zhang, “Atomic-level sintering mechanism of silica aerogels at high temperatures: structure evolution and solid thermal conductivity”, International Journal of Heat and Mass Transfer, 199 (2022), 123456  crossref
    8. Jianqiang Ma, Sien Wang, Xiao Wan, Dengke Ma, Yue Xiao, Qing Hao, Nuo Yang, “The unrevealed 3D morphological evolution of annealed nanoporous thin films”, Nanoscale, 14:45 (2022), 17072  crossref
    9. L. Fedorenko, A. Medvids, V. Yukhymchuk, A. Evtukh, H. Mimura, O. Hreshchuk, L. Grase, S. Soroka, “Amorphous – Crystalline phase transition in nanostructural thin SiOx layers induced by pulsed laser radiation”, Optics & Laser Technology, 148 (2022), 107526  crossref
    10. SAVADOGO Mahamadi, Ousséni Fabrice OUEDRAOGO Pegdwindé, OUEDRAOGO Adama, ZIDA Lamine, ZOUNGRANA Martial, ZERBO Issa, “Uncooled PV cell under variable light concentration: Determination of profiles of the temperature, the intrinsic properties and the carrier density”, Int. J. Phys. Sci., 17:3 (2022), 96  crossref
    11. Yazid Yaakob, Wei Ming Lin, Mohamad Saufi Rosmi, Mohd Zamri Mohd Yusop, Subash Sharma, Kar Fei Chan, Toru Asaka, Masaki Tanemura, “Study of structural and electrical behavior of silicon-carbon nanocomposites via in situ transmission electron microscopy”, Materials Today Communications, 32 (2022), 104081  crossref
    12. Artyom Assadillayev, Tatsuki Hinamoto, Minoru Fujii, Hiroshi Sugimoto, Søren Raza, “Thermal near-field tuning of silicon Mie nanoparticles”, Nanophotonics, 10:16 (2021), 4161  crossref
    13. George P. Zograf, Mihail I. Petrov, Sergey V. Makarov, Yuri S. Kivshar, “All-dielectric thermonanophotonics”, Adv. Opt. Photon., 13:3 (2021), 643  crossref
    14. Sujong Chae, Yaobin Xu, Ran Yi, Hyung‐Seok Lim, Dusan Velickovic, Xiaolin Li, Qiuyan Li, Chongmin Wang, Ji‐Guang Zhang, “A Micrometer‐Sized Silicon/Carbon Composite Anode Synthesized by Impregnation of Petroleum Pitch in Nanoporous Silicon”, Advanced Materials, 33:40 (2021)  crossref
    15. Chia-Ching Huang, Yingying Tang, Marco van der Laan, Jorik van de Groep, A. Femius Koenderink, Kateřina Dohnalová, “Band-Gap Tunability in Partially Amorphous Silicon Nanoparticles Using Single-Dot Correlative Microscopy”, ACS Appl. Nano Mater., 4:1 (2021), 288  crossref
    16. V M Samsonov, A Yu Kartoshkin, I V Talyzin, S A Vasilyev, I A Kaplunov, “On phase diagrams for Au-Si nanosystems: thermodynamic and atomistic simulations”, J. Phys.: Conf. Ser., 1658:1 (2020), 012047  crossref
    17. S. Starikov, I. Gordeev, Y. Lysogorskiy, L. Kolotova, S. Makarov, “Optimized interatomic potential for study of structure and phase transitions in Si-Au and Si-Al systems”, Computational Materials Science, 184 (2020), 109891  crossref
    18. I. V. Talyzin, V. M. Samsonov, “On the prospect of creating memory elements based on silicon nanoparticles”, Izv. vysš. učebn. zaved., Mater. èlektron. teh., 22:2 (2019), 84  crossref
    19. Igor V. Talyzin, Vladimir M. Samsonov, “Outlooks for development of silicon nanoparticle memory cells”, MoEM, 5:4 (2019), 159  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:100
    PDF полного текста:99
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025