Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)

Продемонстрирована лазерная генерация в оранжевой области спектра (599–605 нм) в лазерных диодах (Al$_{x}$Ga$_{1-x}$)$_{0.5}$In$_{0.5}$P–GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs (211)A и (322)A. Активная область представляла собой 4 слоя In$_{x}$Ga$_{1-x}$P вертикально-связанных квантовых точек. Для подавления утечки неравновесных электронов из активной области использовались барьерные вставки, состоящие из четырех квантово-размерных слоев твердого раствора InGaAlP с высоким содержанием Ga. Максимальная выходная оптическая мощность в импульсном режиме составила 800 мВт и была ограничена катастрофической оптической деградацией зеркал. Лазеры, изготовленные из структур, выращенных на подложках (322)А, демонстрируют меньшую пороговую плотность тока, большую дифференциальную квантовую эффективность и меньшие внутренние потери по сравнению с лазерами, изготовленными из структур, выращенных на подложках (211)А, что объясняется более высоким барьером для неравновесных электронов в первом случае.