Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 2, страницы 212–216
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48907.9290 (Mi phts5289) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs

Э. И. Моисеевa, М. В. Максимовa, Н. В. Крыжановскаяab, О. И. Симчукa, М. М. Кулагинаc, С. А. Кадинскаяa, M. Guinad, А. Е. Жуковab

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Tampere University of Technology, Tampere, Finland
PDF полного текста (514 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48907.9290
Аннотация: Представлены результаты сравнительного анализа спектральных и пороговых характеристик работающих при комнатной температуре инжекционных микродисковых лазеров спектрального диапазона 1.2хх мкм с разной активной областью: квантовые ямы InGaAsN/GaAs или квантовые точки InAs/InGaAs/GaAs. Обнаружено, что микролазеры сравнимого с квантовыми ямами размера обладают большими значениями порога лазерной генерации по сравнению с микролазерами с квантовыми точками. В то же время последние характеризуются заметно меньшей долей излучаемой мощности, приходящейся на лазерные моды. Также для них характерен перескок к генерации через возбужденный оптический переход. Этих недостатков лишены микродисковые лазеры на основе InGaAsN.
Ключевые слова: микролазер, квантовые ямы, квантовые точки, азотсодержащие полупроводники.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-29-03127 офи_м
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.9787.2017/8.9
Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ 16-29-03127 офи_м и Министерства образования и науки России (3.9787.2017/8.9).
Поступила в редакцию: 20.10.2019
Исправленный вариант: 29.10.2019
Принята в печать: 29.10.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 2, Pages 263–267
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620020177
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Э. И. Моисеев, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, О. И. Симчук, М. М. Кулагина, С. А. Кадинская, M. Guina, А. Е. Жуков, “Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 212–216; Semiconductors, 54:2 (2020), 263–267
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MoiMakKry20}
\by Э.~И.~Моисеев, М.~В.~Максимов, Н.~В.~Крыжановская, О.~И.~Симчук, М.~М.~Кулагина, С.~А.~Кадинская, M.~Guina, А.~Е.~Жуков
\paper Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 212--216
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5289}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48907.9290}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571101}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 263--267
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620020177}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5289
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i2/p212
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    1. Antian Du, Chunfang Cao, Shixian Han, Hailong Wang, Qian Gong, “Continuous-wave operation of Si-based 1.31 μm InAs/GaAs quantum-dot laser grown by molecular beam epitaxy”, Phys. Scr., 98:8 (2023), 085523  crossref
    2. Yushuang Zhou, Ashutosh Sharma, Mohammad Shabaz, “Feature recognition of state signal of electromechanical integration railway turnout over health parameters using CMOS area array technology”, The Journal of Engineering, 2022:7 (2022), 715  crossref
    3. Natalia Kryzhanovskaya, Alexey Zhukov, Eduard Moiseev, Mikhail Maximov, “III–V microdisk/microring resonators and injection microlasers”, J. Phys. D: Appl. Phys., 54:45 (2021), 453001  crossref
    4. A. E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, E. I. Moiseev, M. V. Maximov, “Quantum-dot microlasers based on whispering gallery mode resonators”, Light Sci Appl, 10:1 (2021)  crossref
    5. Andrei Dragulinescu, Mihail Dumitrescu, 2020 IEEE 26th International Symposium for Design and Technology in Electronic Packaging (SIITME), 2020, 327  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:108
    PDF полного текста:35
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025