Ж. В. Смагина, А. В. Новиков, М. В. Степихова, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, А. В. Ненашев, С. М. Сергеев, А. В. Перетокин, П. А. Кучинская, М. В. Шалеев, С. А. Гусев, А. В. Двуреченский, “Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 708–715; Semiconductors, 54:8 (2020), 853

Физика и техника полупроводников

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Правила для авторов

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 8, страницы 708–715
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49639.9392 (Mi phts5185)

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы

Ж. В. Смагина^a, А. В. Новиков^b, М. В. Степихова^b, В. А. Зиновьев^a, Е. Е. Родякина^ac, А. В. Ненашев^ac, С. М. Сергеев^b, А. В. Перетокин^bd, П. А. Кучинская^a, М. В. Шалеев^b, С. А. Гусев^b, А. В. Двуреченский^ac

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^c Новосибирский государственный университет
^d Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева

PDF полного текста (1444 kB) Список цитирования (7)

DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49639.9392

Аннотация: Проведены исследования люминесцентных свойств массивов пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся наноостровков Ge(Si), в том числе встроенных в двумерные фотонные кристаллы. Показано, что встраивание массива упорядоченных одиночных и групп Ge(Si) островков в фотонные кристаллы приводит к увеличению интенсивности их сигнала фотолюминесценции при температуре жидкого азота. При этом наибольший рост интенсивности (до

\sim

$\sim$ 30 раз) наблюдается для упорядоченного массива одиночных Ge(Si) островков. Рост интенсивности связывается с взаимодействием излучения островков с радиационными модами фотонного кристалла, которое более эффективно осуществляется для массива одиночных островков. В результате сигнал люминесценции от одиночных упорядоченных островков Ge(Si), встроенных в фотонные кристаллы, наблюдается вплоть до комнатной температуры.

Ключевые слова: SiGe-гетероструктуры, квантовые точки, пространственное упорядочение, люминесценция, фотонный кристалл.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований	16-29-14031 19-42-540002-р_а 18-29-20016-мк
Министерство образования и науки Российской Федерации	0035-2019-0020
Работа финансировалась из средств грантов РФФИ № 16-29-14031, № 19-42-540002-р_а и Правительства Новосибирской области в части создания структур с КТ, встроенными в фотонные кристаллы, государственного задания № 0035-2019-0020 и гранта РФФИ № 18-29-20016-мк в части люминесцентных измерений.

Поступила в редакцию: 09.03.2020
Исправленный вариант: 18.03.2020
Принята в печать: 18.03.2020

Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 8, Pages 853–859
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620080230

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Ж. В. Смагина, А. В. Новиков, М. В. Степихова, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, А. В. Ненашев, С. М. Сергеев, А. В. Перетокин, П. А. Кучинская, М. В. Шалеев, С. А. Гусев, А. В. Двуреченский, “Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 708–715; Semiconductors, 54:8 (2020), 853–859

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{SmaNovSte20}

\by Ж.~В.~Смагина, А.~В.~Новиков, М.~В.~Степихова, В.~А.~Зиновьев, Е.~Е.~Родякина, А.~В.~Ненашев, С.~М.~Сергеев, А.~В.~Перетокин, П.~А.~Кучинская, М.~В.~Шалеев, С.~А.~Гусев, А.~В.~Двуреченский

\paper Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы

\jour Физика и техника полупроводников

\yr 2020

\vol 54

\issue 8

\pages 708--715

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5185}

\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.08.49639.9392}

\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800742}

\transl

\jour Semiconductors

\yr 2020

\vol 54

\issue 8

\pages 853--859

\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620080230}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/phts5185

https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i8/p708

Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:

Vladimir A. Zinovyev, Margarita V. Stepikhova, Zhanna V. Smagina, Aigul F. Zinovieva, Alexey A. Bloshkin, Ekaterina E. Rodyakina, Mikhail S. Mikhailovskii, Mihail I. Petrov, Alexey V. Novikov, “Selective excitation of photon modes in silicon microdisk resonator by deterministic positioning of GeSi quantum dots”, Journal of Applied Physics, 136:15 (2024)
Vyacheslav A. Timofeev, Vladimir I. Mashanov, Alexandr I. Nikiforov, Ilya V. Skvortsov, Alexey E. Gayduk, Alexey A. Bloshkin, Viktor V. Kirienko, Dmitry E. Utkin, Dmitry V. Kolyada, Dmitry D. Firsov, Oleg S. Komkov, “Remarkable enhancement of photoluminescence and photoresponse due to photonic crystal structures based on GeSiSn/Si multiple quantum wells”, Materials Today Physics, 33 (2023), 101052
Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, M. V. Stepikhova, A. V. Peretokin, S. A. Dyakov, E. E. Rodyakina, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Dependence of the Luminescence Properties of Ordered Groups of Ge(Si) Nanoislands on the Parameters of the Pit-Patterned Surface of a Silicon-on-Insulator Substrate”, Semiconductors, 56:2 (2022), 101
Zh.V. Smagina, V.A. Zinovyev, A.F. Zinovieva, M.V. Stepikhova, A.V. Peretokin, E.E. Rodyakina, S.A. Dyakov, A.V. Novikov, A.V. Dvurechenskii, “Luminescent properties of spatially ordered Ge/Si quantum dots epitaxially grown on a pit-patterned “silicon-on-insulator” substrate”, Journal of Luminescence, 249 (2022), 119033
Г. Н. Камаев, В. А. Володин, Г. К. Кривякин, “Вертикальное упорядочение аморфных нанокластеров Ge в многослойных гетероструктурах $a$ -Ge/ $a$ -Si:H”, Письма в ЖТФ, 47:12 (2021), 13–16 ; G. N. Kamaev, V. A. Volodin, G. K. Krivyakin, “Vertical ordering of amorphous Ge nanoclusters in multilayer $a$ -Ge/ $a$ -Si:H heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 47:8 (2021), 609–612
Alexey V. Novikov, Zhanna V. Smagina, Margarita V. Stepikhova, Vladimir A. Zinovyev, Sergey A. Rudin, Sergey A. Dyakov, Ekaterina E. Rodyakina, Alexey V. Nenashev, Sergey M. Sergeev, Artem V. Peretokin, Anatoly V. Dvurechenskii, “One-Stage Formation of Two-Dimensional Photonic Crystal and Spatially Ordered Arrays of Self-Assembled Ge(Si) Nanoislandson Pit-Patterned Silicon-On-Insulator Substrate”, Nanomaterials, 11:4 (2021), 909
Jeffrey Schuster, Johannes Aberl, Lada Vukušić, Lukas Spindlberger, Heiko Groiss, Thomas Fromherz, Moritz Brehm, Friedrich Schäffler, “Photoluminescence enhancement by deterministically site-controlled, vertically stacked SiGe quantum dots”, Sci Rep, 11:1 (2021)

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	93
PDF полного текста:	28

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы