Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 902–905
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49829.21 (Mi phts5168) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства

Г. Э. Цырлинabcd, Р. Р. Резникd, А. Е. Жуковa, Р. А. Хабибуллинe, К. В. Маремьянинfg, В. И. Гавриленкоfg, С. В. Морозовfg

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Санкт-Петербургский научный центр РАН
d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
e Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
f Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
g Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (451 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49829.21
Аннотация: Приведены данные по синтезу и характеризации структур для квантово-каскадного лазера терагерцового диапазона в системе материалов AlGaAs/GaAs на подложках GaAs с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии. Рассматриваются особенности, необходимые для реализации подобных структур. Показано, что для данной геометрии наблюдается практически одномодовая генерация на частоте ∼3 ТГц вплоть до температуры ∼60 K.
Ключевые слова: квантово-каскадный лазер, молекулярно-пучковая эпитаксия, терагерцовое излучение, полупроводниковые наноструктуры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Российский научный фонд 18-19-00493
Работа выполнена при частичной поддержке Программы фундаментальных исследований Президиума РАН “Основы высоких технологий и использование особенностей наноструктур в науках о природе”. Измерения лазерных структур проведены при поддержке Российского научного фонда проект № 18-19-00493.
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 9, Pages 1092–1095
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620090298
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, А. Е. Жуков, Р. А. Хабибуллин, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 902–905; Semiconductors, 54:9 (2020), 1092–1095
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{CirRezZhu20}
\by Г.~Э.~Цырлин, Р.~Р.~Резник, А.~Е.~Жуков, Р.~А.~Хабибуллин, К.~В.~Маремьянин, В.~И.~Гавриленко, С.~В.~Морозов
\paper Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 902--905
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5168}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49829.21}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154196}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 1092--1095
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620090298}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5168
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p902
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    1. V. V. Andryushkin, I. I. Novikov, A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, L. Ya. Karachinsky, V. V. Dudelev, G. S. Sokolovskii, A. Yu. Egorov, “Epitaxial Growth of Highly Stressed InGaAs/InAlAs Layers on InP Substrates by Molecular-Beam Epitaxy”, Tech. Phys., 69:6 (2024), 1493  crossref
    2. A. V. Babichev, E. S. Kolodeznyi, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, A. Jollivet, P. Quach, L. Ya. Karachinsky, V. N. Nevedomsky, I. I. Novikov, M. Tchernycheva, F. H. Julien, A. Yu. Egorov, “Heterostructure of a 2.5 THz Range Quantum-Cascade Detector”, Semiconductors, 57:10 (2023), 440  crossref
    3. D. V. Ushakov, A. A. Afonenko, D. S. Ponomarev, S. S. Pushkarev, V. I. Gavrilenko, R. A. Khabibullin, “New Designs of Laser Transitions in Terahertz Quantum–Cascade Lasers”, Radiophys Quantum El, 65:5-6 (2022), 461  crossref
    4. D. V. Ushakov, A. A. Afonenko, I. A. Glinskiy, R. A. Khabibullin, “High-temperature terahertz quantum-cascade lasers: design optimization and experimental results”, Rossijskij tehnologičeskij žurnal, 10:3 (2022), 45  crossref
    5. Р. А. Хабибуллин, К. В. Маремьянин, Д. С. Пономарев, Р. Р. Галиев, А. А. Зайцев, А. И. Данилов, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, А. Н. Клочков, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 989–994  mathnet  crossref; R. A. Khabibullin, K. V. Marem'yanin, D. S. Ponomarev, R. R. Galiev, A. A. Zaitsev, A. I. Danilov, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, A. N. Klochkov, A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “3.3 THz quantum cascade laser based on a three GaAs/AlGaAs quantum-well active module with an operating temperature above 120 K”, Semiconductors, 56 (2022), –  mathnet  crossref
    6. R A Khabibullin, D S Ponomarev, D V Ushakov, A A Afonenko, “Optimization of THz quantum cascade lasers with an active module based on two-quantum wells for high-temperature operation”, J. Phys.: Conf. Ser., 2086:1 (2021), 012086  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:110
    PDF полного текста:39
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025