Емкостная спектроскопия $p{-}n$-переходов на основе эпитаксиального $4H$-SiC, полученного ионной имплантацией Al

В эпитаксиальном $4H$-SiC после ионной имплантации Аl обнаружено два глубоких центра с энергиями ионизации ${E_{i}=E_{v}+0.26}$ и ${E_{i}=E_{v}+0.57}$ эВ ($i$-центр). Исследован профиль распределения $i$-центров. Отмечается сходство полученных DLTS-спектров с результатами исследования аналогичных структур на основе политипа $6H$.