Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 12, страницы 1210–1215
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51707.9722 (Mi phts4918) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Зависимость люминесцентных свойств упорядоченных групп Ge(Si) наноостровков от параметров ямок на структурированной поверхности подложки “кремний на изоляторе”

Ж. В. Смагинаa, В. А. Зиновьевa, М. В. Степиховаb, А. В. Перетокинbc, С. А. Дьяковd, Е. Е. Родякинаae, А. В. Новиковbc, А. В. Двуреченскийae

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
d Сколковский институт науки и технологий, территория Инновационного Центра "Сколково"
e Новосибирский государственный университет
PDF полного текста (1416 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51707.9722
Аннотация: Представлены результаты исследований люминесцентных свойств структур с Ge(Si) наноостровками (квантовыми точками), в которых структурированная поверхность подложки “кремний на изоляторе” служила как для пространственного упорядочения квантовых точек, так и для формирования двумерного фотонного кристалла. Показано, что при определенном выборе параметров структурированной подложки (диаметра отверстий и периода их расположения) наблюдается усиление интенсивности сигнала люминесценции квантовых точек в ближнем инфракрасном диапазоне. Обнаруженный эффект связывается с взаимодействием излучения пространственно упорядоченных квантовых точек с модами фотонного кристалла. Эффект усиления сигнала люминесценции сохраняется вплоть до комнатных температур.
Ключевые слова: SiGe-гетероструктуры, квантовые точки, пространственное упорядочение, люминесценция, фотонный кристалл.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 21-72-20184
Работа финансировалась из средств гранта РНФ № 21-72-20184.
Поступила в редакцию: 24.07.2021
Исправленный вариант: 02.08.2021
Принята в печать: 02.08.2021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, М. В. Степихова, А. В. Перетокин, С. А. Дьяков, Е. Е. Родякина, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский, “Зависимость люминесцентных свойств упорядоченных групп Ge(Si) наноостровков от параметров ямок на структурированной поверхности подложки “кремний на изоляторе””, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1210–1215
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SmaZinSte21}
\by Ж.~В.~Смагина, В.~А.~Зиновьев, М.~В.~Степихова, А.~В.~Перетокин, С.~А.~Дьяков, Е.~Е.~Родякина, А.~В.~Новиков, А.~В.~Двуреченский
\paper Зависимость люминесцентных свойств упорядоченных групп Ge(Si) наноостровков от параметров ямок на структурированной поверхности подложки ``кремний на изоляторе''
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 1210--1215
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4918}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51707.9722}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46667392}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4918
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i12/p1210
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    1. P. A. Yunin, M. N. Drozdov, A. V. Novikov, V. B. Shmagin, E. V. Demidov, A. N. Mikhailov, D. I. Tetelbaum, A. I. Belov, “Complex Diagnostics of Silicon-on-Insulator Layers after Ion Implantation and Annealing”, J. Surf. Investig., 18:3 (2024), 586  crossref
    2. P. A. Yunin, M. N. Drozdov, A. V. Novikov, V. B. Shmagin, E. V. Demidov, A. N. Mikhailov, D. I. Tetelbaum, A. I. Belov, “Complex Diagnostics of Silicon-on-Insulator Layers after Ion Implantation and Annealing”, Poverhnostʹ. Rentgenovskie, sinhrotronnye i nejtronnye issledovaniâ, 2024, № 5, 61  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:151
    PDF полного текста:44
     
      Обратная связь:
    math-net2025_04@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025