Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 10, страницы 1830–1832 (Mi phts4832)  
Краткие сообщения

Время жизни неосновных носителей заряда в эпитаксиальных слоях CdxHg1−xTe p-типа проводимости

А. Мухитдинов, В. И. Стафеев

Государственный научный центр Российской Федерации, Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО ОРИОН", г. Москва
PDF полного текста (345 kB)
Поступила в редакцию: 06.04.1992
Принята в печать: 10.04.1992
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Мухитдинов, В. И. Стафеев, “Время жизни неосновных носителей заряда в эпитаксиальных слоях CdxHg1−xTe p-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1830–1832
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MukSta92}
\by А.~Мухитдинов, В.~И.~Стафеев
\paper Время жизни неосновных носителей заряда в эпитаксиальных слоях Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te $p$-типа проводимости
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1992
\vol 26
\issue 10
\pages 1830--1832
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4832}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4832
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v26/i10/p1830
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025