Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов

Изготовлены туннельно-резонансные диоды со спейсер-слоями и слабо легированным буферным слоем. На измеренных при 77 и 300 K ВАХ получены особенности в области отрицательной дифференциальной проводимости. Показано, что эти особенности связаны с протеканием тока по размерно-квантованным уровням в потенциальной яме спейсер-слоя, а не с самовозбуждением. В результате решения самосогласованной системы уравнений Шредингера и Пуассона получены зависимости глубины потенциальной ямы и уровней энергии в ней от напряжения на диоде и показано, что максимумы тока на ВАХ реализуются при совпадении резонансного уровня с дном зоны проводимости или уровнями размерного квантования.