|
Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 10, страницы 1737–1741
(Mi phts4819)
|
|
|
|
Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе
жидкофазной эпитаксии
Н. Б. Пышная, С. И. Радауцан, В. В. Чалдышев, В. А. Чумак, Ю. В. Шмарцев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследовано влияние изовалентного легирования галлием и мышьяком на электрофизические и люминесцентные свойства фосфида индия, выращенного методом жидкофазной эпитаксии. Проведено сравнение влияния изовалентных примесей III и V групп таблицы Менделеева на свойства InP и GaAs. Показано, что изменения концентраций мелких примесей и глубоких центров в этих соединениях AIIIBV носят сходный характер.
Поступила в редакцию: 09.04.1992 Принята в печать: 17.04.1992
Образец цитирования:
Н. Б. Пышная, С. И. Радауцан, В. В. Чалдышев, В. А. Чумак, Ю. В. Шмарцев, “Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе
жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1737–1741
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4819 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v26/i10/p1737
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 72 | PDF полного текста: | 37 |
|