Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 10, страницы 1715–1722 (Mi phts4816)  
Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Ж. И. Алфёров, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1043 kB)
Аннотация: Сообщается о получении изолированных квантовых проволок и квантовых точек в системе GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Способ основан на гетероэпитаксиальном росте на фасетированных поверхностях и включает в себя формирование двух латеральных сверхрешеток GaAs в матрице AlAs. В середине промежуточного слоя AlAs мы выращивали изолированные кластеры GaAs. Эти кластеры ответственны за сильную локальную связь между двумя латеральными сверхрешетками и приводят к появлению нового типа локализованных состояний — квантовых проволок и квантовых точек.
Поступила в редакцию: 07.04.1992
Принята в печать: 08.04.1992
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ж. И. Алфёров, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1715–1722
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AlfEgoZhu92}
\by Ж.~И.~Алфёров, А.~Ю.~Егоров, А.~Е.~Жуков, С.~В.~Иванов, П.~С.~Копьев, Н.~Н.~Леденцов, Б.~Я.~Мельцер, В.~М.~Устинов
\paper Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом
молекулярно-пучковой эпитаксии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1992
\vol 26
\issue 10
\pages 1715--1722
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4816}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4816
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v26/i10/p1715
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:114
    PDF полного текста:53
     
      Обратная связь:
    math-net2025_03@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025