Характеристика и особенности проводимости приповерхностных $\delta$-легированных слоев в GaAs при изменении концентрации двумерных электронов

Проведены магнитотранспортные исследования при гелиевых температурах на двух типах структур: с одним $\delta$-легированным слоем (Si), выращенным на расстоянии ${L=200}$ Å от поверхности GaAs, покрытой Al, и с двумя $\delta$-слоями (${L_{1}=200}$ и ${L_{2}=500}$ Å), содержащими одинаковое количество доноров ${N\simeq6\cdot10^{12}\,\text{см}^{-2}}$. Для образца с одним $\delta$-слоем измерены туннельные спектры и зависимости подвижности и концентрации двумерного электронного газа (ДЭГ) от напряжения $V$ на затворе. Данные хорошо согласуются с результатами самосогласованных расчетов энергий и заполнения подзон в потенциальной квантовой яме (ПКЯ) для ширины $\delta$-слоя ${\Delta L=50}$ Å, а поведение подвижностей в подзонах с концентрацией п ДЭГ позволяет сделать вывод о проявлении эффектов межподзонного рассеяния. Обнаружено, что скорость роста с $n$ подвижности $\mu_{1}$ в возбужденной подзоне ПКЯ значительно превышает скорость изменения $\mu_{0}(n)$. Такое поведение можно связать с усилением (при возрастании $V$) пространственного разделения подвижных электронов возбужденной подзоны и ионизованных примесей $\delta$-слоя, что характерно для асимметричных ПКЯ $\delta$-слоев. Данные для структуры с двумя $\delta$-слоями качественно подтверждают этот вывод.