|
Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 3, страницы 510–515
(Mi phts4618)
|
|
|
|
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок Pb1−xSnxS
и структур на их основе, обусловленные микро- и макронеоднородностями
О. В. Горшкова, И. А. Дрозд, В. И. Стафеев
Аннотация:
На примере эпитаксиальных пленок Pb1−xSnxS показано,
что фотоэлектрические свойства некоторых тройных твердых растворов
соединений AIVBVI с достаточно
сильной зависимостью ширины запрещенной зоны от состава обусловлены
органически присущими таким материалам микро- и
макронеоднородностями, связанными с флуктуациями состава и концентрации
легирующей примеси. Развитые представления подтверждены на модельных
объектах — двухслойных структурах.
Образец цитирования:
О. В. Горшкова, И. А. Дрозд, В. И. Стафеев, “Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок Pb1−xSnxS
и структур на их основе, обусловленные микро- и макронеоднородностями”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 510–515
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4618 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v26/i3/p510
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 68 | PDF полного текста: | 30 |
|