Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 3, страницы 510–515 (Mi phts4618)  

Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок Pb1xSnxS и структур на их основе, обусловленные микро- и макронеоднородностями

О. В. Горшкова, И. А. Дрозд, В. И. Стафеев
Аннотация: На примере эпитаксиальных пленок Pb1xSnxS показано, что фотоэлектрические свойства некоторых тройных твердых растворов соединений AIVBVI с достаточно сильной зависимостью ширины запрещенной зоны от состава обусловлены органически присущими таким материалам микро- и макронеоднородностями, связанными с флуктуациями состава и концентрации легирующей примеси. Развитые представления подтверждены на модельных объектах — двухслойных структурах.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Горшкова, И. А. Дрозд, В. И. Стафеев, “Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок Pb1xSnxS и структур на их основе, обусловленные микро- и макронеоднородностями”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 510–515
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Sta92}
\by О.~В.~Горшкова, И.~А.~Дрозд, В.~И.~Стафеев
\paper Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$S
и~структур на их основе, обусловленные микро- и~макронеоднородностями
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1992
\vol 26
\issue 3
\pages 510--515
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4618}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4618
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v26/i3/p510
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:68
    PDF полного текста:30
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025