Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1992, том 26, выпуск 2, страницы 280–283 (Mi phts4583)  

Анализ зависимости ширины запрещенной зоны от состава Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se$_{1-y}$Te$_{y}$, изопериодического с PbSe, в рамках $p$-модели

Л. П. Бычкова, О. И. Даварашвили, А. П. Шотов
Аннотация: Проанализирована зависимость ширины запрещенной зоны Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se$_{1-y}$Te$_{y}$ от состава в рамках $p$-модели. В приближении виртуального кристалла установлены параметры модели, удовлетворяющие теоретическим критериям и показывающие, что линейное приближение может хорошо выполняться.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. П. Бычкова, О. И. Даварашвили, А. П. Шотов, “Анализ зависимости ширины запрещенной зоны от состава Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se$_{1-y}$Te$_{y}$, изопериодического с PbSe, в рамках $p$-модели”, Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992), 280–283
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Sho92}
\by Л.~П.~Бычкова, О.~И.~Даварашвили, А.~П.~Шотов
\paper Анализ зависимости ширины запрещенной зоны от состава
Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Se$_{1-y}$Te$_{y}$, изопериодического с~PbSe, в~рамках
$p$-модели
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1992
\vol 26
\issue 2
\pages 280--283
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4583}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4583
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v26/i2/p280
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:72
    PDF полного текста:42
     
      Обратная связь:
    math-net2025_04@mi-ras.ru
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025