|
Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 8, страницы 1437–1447
(Mi phts4411)
|
|
|
|
Широкозонные твердые растворы (SiC)1−x(AlN)x
Г. К. Сафаралиев, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков
Аннотация:
Проведены оценки современного состояния разработок
и обобщений полученных авторами данной работы
результатов по монокристаллическим твердым
растворам (SiC)1−x(AlN)x. Рассмотрены критерии образования твердых растворов
на основе карбида кремния.
Анализируются различные подходы к технологии
приготовления образцов. Определена
область стабильного формирования политипной
структуры 2H. Приводятся результаты по
оптическому поглощению и люминесценции твердых
растворов (SiC)1−x(AlN)x и
структур на их основе. Определены условия
формирования и впервые получены прямозонные твердые
растворы (SiC)1−x(AlN)x. Показана возможность
создания на основе варизонных гетероструктур
(SiC)1−x(AlN)x/SiC ультрафиолетовых источников излучения.
Образец цитирования:
Г. К. Сафаралиев, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, “Широкозонные твердые растворы (SiC)1−x(AlN)x”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1437–1447
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4411 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v25/i8/p1437
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 65 | PDF полного текста: | 41 |
|