Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы

Исследовано влияние изовалентного легирования индием на электрофизические и люминесцентные свойства, плотность дислокаций, параметр решетки и концентрацию глубоких уровней $EL2$ в эпитаксиальных слоях $n$-GaAs : S, выращенных в хлоридной газотранспортной системе. Обнаружено, что при концентрации индия ${\sim1\cdot10^{20}\,\text{см}^{-3}}$ увеличиваются подвижность свободных электронов и эффективность краевой излучательной рекомбинации, уменьшаются концентрации центров $EL2$ и глубоких центров, ответственных за линии фотолюминесценции 1.2 и 0.9 эВ, а также плотность дислокаций.