Параметры зонной структуры эпитаксиальных слоев в гетеропереходах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As/InP

При $T{=}2$ K и в магнитном поле до 7.5 Т выполнено исследование осциллирующего магнитопоглощения в эпитаксиальных слоях In$_{1-x}$Ga$_{x}$As, выращенных на подложке из InP. Измерения, проведенные на напряженных слоях и слоях с удаленной подложкой (свободных), позволили установить эффективные массы электрона и другие параметры зонной структуры слоев, а также рассчитать зависимость $m^{*}_{c}$ на дне зоны проводимости от состава ($x$) и напряжений ($e$). При этом можно выделить влияние части, обусловленной несоответствием решеток ($\Delta a_{\perp}/a_{\parallel}$) и однозначно связанной с составом, так же как составляющую, зависящую от остаточных напряжений $e_{0}$ и включающую в себя ростовые напряжения и напряжения, связанные с различием в коэффициентах термического расширения.