Рекомбинационные процессы в $6H$-SiC $p{-}n$-структурах и влияние на них глубоких центров

Проведено исследование времени жизни и диффузионных длин неосновных носителей тока в $p{-}n$-структурах, изготовленных на основе $6H$-SiC по различным технологиям. Методом DLTS исследованы концентрации и параметры имеющихся в этих структурах глубоких уровней (ГУ).
Исходя из статистики Шокли$-$Рида показано, что два обнаруженных ГУ ($S({E_{c}-0.35}\,\text{эВ})$ и $R({E_{c}-1.27}$ эВ)) могут определять рекомбинационные процессы в исследовавшихся $p{-}n$-структурах.