Высокотемпературный диод Шоттки Au$-$SiC-$6H$

Получены поверхностно-барьерные структуры Au$-$SiC-$6H$, по своим электрическим характеристикам близкие к идеальным, работоспособные до температур 300$^{\circ}$C. Исследованы их электрические характеристики и механизм протекания тока. Показано, что протекание прямого тока описывается теорией термоэлектронной эмиссии. Прямой ток ${I\sim1}$ А при ${U_{\text{пр}}\approx4}$ В. Напряжение пробоя структур 100$-$170 В при комнатной темперaтуре. Обратные токи при ${T=570}$ K и ${U=70\,\text{В}}$ ${\sim\!10^{-8}}$ А.