Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 1, страницы 182–184 (Mi phts42)  

Краткие сообщения

Влияние уровней прилипания на рекомбинацию неравновесных носителей в кремнии

В. А. Житов, А. В. Кудинов, В. А. Миляев, В. А. Никитин, A. М. Прохоров, А. В. Ширков

Институт общей физики АН СССР, г. Москва
Поступила в редакцию: 24.07.1985
Принята в печать: 01.08.1985
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Житов, А. В. Кудинов, В. А. Миляев, В. А. Никитин, A. М. Прохоров, А. В. Ширков, “Влияние уровней прилипания на рекомбинацию неравновесных носителей в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 182–184
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhiKudMil86}
\by В.~А.~Житов, А.~В.~Кудинов, В.~А.~Миляев, В.~А.~Никитин, A.~М.~Прохоров, А.~В.~Ширков
\paper Влияние уровней прилипания на рекомбинацию неравновесных носителей
в~кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 1
\pages 182--184
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts42}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts42
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i1/p182
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:126
    PDF полного текста:50
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025