Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 10, страницы 1806–1810 (Mi phts415)  
Определение концентрации глубоких уровней в объеме полупроводника из измерений нестационарной емкостной спектроскопии при постоянной емкости

А. А. Лебедев, В. Экке
PDF полного текста (579 kB)
Аннотация: Рассмотрено влияние области неполной ионизации глубоких уровней (ГУ) вблизи границы слоя объемного заряда на сложные спектры нестационарной емкостной спектроскопии в режиме постоянной емкости. Предложены методы учета области неполной ионизации при определении концентрации ГУ из экспериментальных спектров.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Лебедев, В. Экке, “Определение концентрации глубоких уровней в объеме полупроводника из измерений нестационарной емкостной спектроскопии при постоянной емкости”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1806–1810
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Leb86}
\by А.~А.~Лебедев, В.~Экке
\paper Определение концентрации глубоких уровней в~объеме полупроводника из
измерений нестационарной емкостной спектроскопии при постоянной емкости
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 10
\pages 1806--1810
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts415}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts415
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i10/p1806
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:32
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025