|
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 12, страницы 2145–2150
(Mi phts4112)
|
|
|
|
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей
из измерений постоянной Холла
В. Ф. Банная, Л. И. Веселова, Е. М. Гершензон, Э. Н. Гусинский, Л. Б. Литвак-Горская
Аннотация:
На примере p-Si⟨B,\,Ga⟩ с различной
степенью компенсации проведена сравнительная оценка точности определения
раздельной концентрации примесей по температурной зависимости
концентрации дырок p(T) в случае одной и двух легирующих примесей с
энергиями ионизации, различающимися менее чем в 2 раза. Исследована функция
среднеквадратичного отклонения в пространстве параметров D(Nк,
N2) (Nк, N1 и N2 — концентрации компенсирующих
примесей бора и галлия соответственно, N2≫N1) в предположении,
что N2, энергии B и Ga известны. Показано, что в случае двух легирующих
примесей D(Nк, N1) в окрестностях минимума имеет
«овражный» рельеф и при некоторых соотношениях между
Nк и N1 разброс искомых величин превышает порядок,
причем увеличение точности измерений p(T) существенного улучшения
в вычислении параметров не дает. При одной легирующей примеси точность
вычисления параметров высокая.
Образец цитирования:
В. Ф. Банная, Л. И. Веселова, Е. М. Гершензон, Э. Н. Гусинский, Л. Б. Литвак-Горская, “Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей
из измерений постоянной Холла”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2145–2150
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4112 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i12/p2145
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 62 | PDF полного текста: | 24 |
|