Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle$In$\rangle$ при различных уровнях фоновых засветок

Рассмотрены вольт-амперные характеристики монокристаллическпх пленок Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle$In$\rangle$ ($x=0.22,\,0.24$, $N_{\text{In}}= 0.23,\,0.3$ и 0.8 ат %) при температуре 4.2 К в присутствии фоновых засветок различной интенсивности.
Показано, что присутствие фона 300 К существенно меняет форму вольт-амперных характеристик по сравнению с темновой, уменьшает инерционность фотопроцессов на несколько порядков, а дополнительное освещение через фильтр, срезающий длинноволновую часть спектра, не меняя формы вольт-амперной характеристики, приводит к уменьшению токов.
Наблюдаемые явления объясняются в рамках модели ян-теллеровских центров.