Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 6, страницы 1006–1009 (Mi phts3870)  

Контроль распределения примесей III и V групп в кремнии по интенсивности донорно-акцепторной люминесценции

Я. Е. Покровский
Аннотация: Показано, что при локальном фотовозбуждении образцов кремния, легированных примесями III или V групп в концентрациях 10161017см3, возможен контроль распределения примесей путем сканирования возбуждающим лучом и регистрации относительной интенсивности донорно-акцепторной люминесценции, пропорциональной произведению концентраций доноров и акцепторов.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Я. Е. Покровский, “Контроль распределения примесей III и V групп в кремнии по интенсивности донорно-акцепторной люминесценции”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1006–1009
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Pok90}
\by Я.~Е.~Покровский
\paper Контроль распределения примесей~III и~V~групп в~кремнии
по интенсивности донорно-акцепторной люминесценции
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1990
\vol 24
\issue 6
\pages 1006--1009
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3870}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3870
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i6/p1006
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:59
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025