Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 3, страницы 549–552 (Mi phts3773)  

Новый способ обработки спектров DLTS

Е. В. Астрова, А. А. Лебедев
Аннотация: Предлагается новый способ обработки спектров DLTS, записанных с разными окнами скростей эмиссии. Для нахождения температурной зависимости постоянной времени термо-эмиссии θ от температуры в отличие от обычно используемых значений этой величины в максимуме пиков применяют точки пересечения кривых друг с другом. Для экспоненциальных сигналов релаксации, характерных для дискретного глубокого уровня, рассчитаны значения θ в точках пересечения пиков DLTS, записанных с разными t1 при фиксированном отношении t2/t1. Помимо увеличения числа используемых точек способ позволяет корректно определить параметры глубокого уровня из спектров DLTS с высотой пика, зависящей от температуры. Применение способа иллюстрируется на примере глубокого уровня термодефекта в кремнии.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, “Новый способ обработки спектров DLTS”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 549–552
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AstLeb90}
\by Е.~В.~Астрова, А.~А.~Лебедев
\paper Новый способ обработки спектров~DLTS
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1990
\vol 24
\issue 3
\pages 549--552
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3773}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3773
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i3/p549
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:65
    PDF полного текста:51
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025