|
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 2, страницы 359–361
(Mi phts3730)
|
|
|
|
Краткие сообщения
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As
напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
Ж. И. Алфров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, С. В. Шапошников
Образец цитирования:
Ж. И. Алфров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, С. В. Шапошников, “(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As
напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 359–361
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3730 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i2/p359
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 105 | PDF полного текста: | 31 |
|