|
Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 1, страницы 201–203
(Mi phts3703)
|
|
|
|
Краткие сообщения
(Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см$^{2}$)
и 0.73 мкм (350 A/см$^{2}$) с легированной квантовой ямой
Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Э. Луценко
Образец цитирования:
Ж. И. Алфёров, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, М. Э. Луценко, “(Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см$^{2}$)
и 0.73 мкм (350 A/см$^{2}$) с легированной квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 201–203
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3703 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v24/i1/p201
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 105 | PDF полного текста: | 26 |
|