Численное моделирование микроплазменной неустойчивости

Методом численного моделирования проведен анализ микроплазменной неустойчивости в полупроводниках. Рассмотрены временные, интегральные и спектральные характеристики микроплазменного шума в нпзкоомной и высокоомной цепях. В рамках единой статистической модели лавинного размножения носителей в условиях ударной ионизации качественно объяснены основные закономерности поведения микроплазмы как в постоянном, так и в переменном высокочастотном полях. Приведены конкретные примеры характеристик лля микроплазмы с напряжением пробоя 8 В.