Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 8, страницы 1411–1415 (Mi phts3482)  
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (теория)

С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков
PDF полного текста (586 kB)
Аннотация: Теоретически рассмотрен новый метод определения электрофизических параметров неосновных носителей заряда в режиме тока, индуцированного электронным зондом, в эпнтаксиальных слоях, толщина которых меньше величины диффузионной длины носителей. Анализируются возможности одновременного определения диффузионной длины и скорости интерфейсной рекомбинации в гетероэпитаксиальных пленках.
Показано, что, несмотря на сравнительно сложное теоретическое описание метода, могут быть выбраны условия измерений, при которых искомые параметры определяются по экспоненциальной координатной зависимости сигнала индуцированного тока.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, “Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (теория)”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989), 1411–1415
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KonUma89}
\by С.~Г.~Конников, В.~А.~Соловьев, В.~Е.~Уманский, В.~М.~Чистяков
\paper Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных
слоев в~растровом электронном микроскопе (теория)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1989
\vol 23
\issue 8
\pages 1411--1415
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3482}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3482
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i8/p1411
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:101
    PDF полного текста:34
     
      Обратная связь:
    math-net2025_04@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025