Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 7, страницы 1160–1163 (Mi phts3428)  

«Тонкая» структура края поглощения кристаллов теллурида кадмия

М. А. Абдуллаев, С. И. Кохановский, О. С. Кощуг, Р. П. Сейсян
Аннотация: Первое экспериментальное наблюдение «тонкой» структуры края поглощения монокристаллов CdTe выполнено при 2 K благодаря приготовлению очень тонких ненапряженных образцов для исследования. В спектрах поглощения помимо максимумов основного (n0=1) и возбужденного (n0=2) состояний и ЭПК на фоне континуума присутствуют особенности, связанные с экситон-фононным взаимодействием. Выполненные расчеты энергии связи свободного экситона R=9.05 мэВ и глубины внецентрового минимума экситонной зоны Δεk=1.08 мэВ позволяют удовлетворительно описать экситонную серию с краем диссоциации ε0g=1606.5 мэВ. Экспериментально измеренная температурная зависимость полуширины экситонных максимумов n0=1,2 показывает, что их температурное уширение связано главным образом со взаимодействием с LO-фононом, характеризуемым константой, более чем на порядок превышающей фрлиховскую константу электрон-фононного взаимодействия в CdTe. Что же касается экситон-фононного максимума на фоне континуума, то поведение при повышении T позволяет считать его связанным не с ЭФК, а с непрямыми переходами во внецентровый минимум экситонной зоны с излучением LO-фонона.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Абдуллаев, С. И. Кохановский, О. С. Кощуг, Р. П. Сейсян, “«Тонкая» структура края поглощения кристаллов теллурида кадмия”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1160–1163
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KokSei89}
\by М.~А.~Абдуллаев, С.~И.~Кохановский, О.~С.~Кощуг, Р.~П.~Сейсян
\paper \glqq Тонкая\grqq\ структура края поглощения кристаллов теллурида
кадмия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1989
\vol 23
\issue 7
\pages 1160--1163
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3428}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3428
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i7/p1160
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:60
    PDF полного текста:42
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025