|
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 7, страницы 1160–1163
(Mi phts3428)
|
|
|
|
«Тонкая» структура края поглощения кристаллов теллурида
кадмия
М. А. Абдуллаев, С. И. Кохановский, О. С. Кощуг, Р. П. Сейсян
Аннотация:
Первое экспериментальное наблюдение «тонкой»
структуры края поглощения монокристаллов CdTe выполнено при 2 K
благодаря приготовлению очень тонких ненапряженных образцов для
исследования. В спектрах поглощения помимо максимумов основного
(n0=1) и возбужденного (n0=2) состояний и ЭПК на фоне
континуума присутствуют особенности, связанные с экситон-фононным
взаимодействием. Выполненные расчеты энергии связи свободного экситона
R∗=9.05 мэВ и глубины внецентрового минимума экситонной
зоны Δεk=1.08 мэВ позволяют удовлетворительно описать
экситонную серию с краем диссоциации ε0g=1606.5 мэВ.
Экспериментально измеренная температурная зависимость полуширины экситонных
максимумов n0=1,2 показывает, что их температурное
уширение связано главным образом со взаимодействием с LO-фононом,
характеризуемым константой, более чем на порядок превышающей фрлиховскую
константу электрон-фононного взаимодействия в CdTe. Что же касается
экситон-фононного максимума на фоне континуума, то поведение при повышении
T позволяет считать его связанным не с ЭФК, а с непрямыми переходами во
внецентровый минимум экситонной зоны с излучением LO-фонона.
Образец цитирования:
М. А. Абдуллаев, С. И. Кохановский, О. С. Кощуг, Р. П. Сейсян, “«Тонкая» структура края поглощения кристаллов теллурида
кадмия”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1160–1163
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3428 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i7/p1160
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 60 | PDF полного текста: | 42 |
|