Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 5, страницы 897–899 (Mi phts3370)  

Краткие сообщения

Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в p+p0πn0-структурах арсенида галлия

А. А. Лебедев, В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, В. В. Свиридов, М. Н. Степанова, Н. П. Ярославцев
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Лебедев, В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, В. В. Свиридов, М. Н. Степанова, Н. П. Ярославцев, “Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в p+p0πn0-структурах арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 897–899
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LebMitRem89}
\by А.~А.~Лебедев, В.~И.~Митрохин, С.~И.~Рембеза, В.~В.~Свиридов, М.~Н.~Степанова, Н.~П.~Ярославцев
\paper Электронно-механический резонанс на~глубоких центрах
в~$p^{+}{-}p^{0}{-}\pi{-}n^{0}$-структурах арсенида галлия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1989
\vol 23
\issue 5
\pages 897--899
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3370}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3370
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i5/p897
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:62
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025