Особенности температурной зависимости холловской подвижности в легированных и некомпенсированных полупроводниках

На примере легированного и слабо компенсированного Si$\langle\text{B}\rangle$ проведены исследования особенностей температурной зависимости подвижности при различных механизмах рассеяния.
Уточнен метод определения концентрации компенсирующей примеси по $\mu_{I}(T)$.
Полученные результаты обсуждаются и для Ge.