Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 1, страницы 138–145 (Mi phts3198)  

Гашение экситонной люминесценции в результате ударной ионизации и механизмы релаксации электронов в сульфиде кадмия

В. Д. Каган, С. Л. Карпенко, Р. Катилюс, Г. О. Мюллер, Р. П. Сейсян, М. А. Якобсон
Аннотация: Наблюдалось гашение экситонной люминесценции в постоянном электрическом поле в сульфиде кадмия при 1.8 K, вызванное ударной ионизацией свободных и делокализацией связанных экситонов горячими электронами. При увеличении поля до 1 кВ/см происходит непрерывный переход от закона ТаунсендаШокли к закону ДавыдоваВольфа. Среди изученных образцов по экситонному спектру выделяются «чистые» образцы, в которых, как показано в работе, высокоэнергетичные электроны теряют квазиимпульс, спонтанно излучая пьезофононы; в остальных образцах преобладает рассеяние на примесях. Теоретическая обработка данных по гашению линии излучения связанного экситона в области умеренных полей дает для длины свободного пробега электрона с энергией 4 мэВ значения 104 в «чистых» и 5106 см в остальных образцах. Таким образом, использованная оптическая методика позволила определить преобладающие в CdS при низких температурах механизмы релаксации высокоэнергетичных электронов.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Д. Каган, С. Л. Карпенко, Р. Катилюс, Г. О. Мюллер, Р. П. Сейсян, М. А. Якобсон, “Гашение экситонной люминесценции в результате ударной ионизации и механизмы релаксации электронов в сульфиде кадмия”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 138–145
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KagKarKat89}
\by В.~Д.~Каган, С.~Л.~Карпенко, Р.~Катилюс, Г.~О.~Мюллер, Р.~П.~Сейсян, М.~А.~Якобсон
\paper Гашение экситонной люминесценции в~результате ударной ионизации
и~механизмы релаксации электронов в~сульфиде кадмия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1989
\vol 23
\issue 1
\pages 138--145
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts3198}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts3198
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i1/p138
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:49
    PDF полного текста:26
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025