|
Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 1, страницы 39–43
(Mi phts3181)
|
|
|
|
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
В. А. Дмитриев, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков
Аннотация:
Представлены электрические и электролюминесцентные характеристики и параметры
светодиодов фиолетового свечения, изготовленных на основе карбида кремния
политипа 4H. p−n-Структура: подложка n-SiC-4H, содержащая азот (донор), и
выращенный на ней бесконтейнерной жидкостной эпитаксией слой p-SiC-4H,
легированный алюминием (акцептор). p−n-Переход резкий, емкостное напряжение
отсечки 2.9 В (293 K). Площадь p−n-перехода светодиодной меза-структуры порядка
10−3см2. Свет выводился через n-подложку. Максимум спектра электролюминесценции
расположен в фиолетовой области [hνm=2.93 эВ (293 K)].
Зависимость интенсивности
люминесценции от тока близка к линейной. Внешний квантовый выход около
0.5⋅10−4
(293 K) и уменьшается с ростом температуры. Сила света светодиодов с полушириной
диаграммы направленности излучения 15∘ равна 0.15 мкд при токе
20 мА и 293 K
(напряжение около 3.5 В). Быстродействие светодиода порядка 100 нc. Созданием фиолетового светодиода завершается светодиодное освоение видимого
спектра.
Образец цитирования:
В. А. Дмитриев, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, А. Е. Черенков, “Фиолетовый SiC-4C-светодиод”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 39–43
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3181 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v23/i1/p39
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 111 | PDF полного текста: | 28 |
|