|
Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 10, страницы 1803–1807
(Mi phts3077)
|
|
|
|
Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при
возбуждении электронным пучком в РЭМ
С. Г. Конников, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, И. И. Лодыженский
Аннотация:
Разработана теоретическая модель метода определения
времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении
импульсным электронным пучком в растровом электронном микроскопе (РЭМ)
с использованием барьера Шоттки для регистрации сигнала тока, индуцированного
электронным зондом. Метод экспериментально реализован в РЭМ с временны́м
разрешением 50 пс. Приведены результаты определения электрофизических
параметров при исследовании эпитаксиальных слоев GaAs с различной
концентрацией легирующей примеси. Измеренные в эксперименте значения
диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей позволяют
рассчитать коэффициент диффузии и подвижность
в локальной области полупроводника.
Образец цитирования:
С. Г. Конников, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, И. И. Лодыженский, “Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при
возбуждении электронным пучком в РЭМ”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1803–1807
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts3077 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v22/i10/p1803
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 82 | PDF полного текста: | 38 |
|