|
Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 1, страницы 149–152
(Mi phts30)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Синтез монокристаллического карбида кремния с помощью одношаговой
техники высокоинтенсивного ионного легирования
П. А. Александров, Е. К. Баранова, К. Д. Демаков, Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, С. Ю. Ширяев Институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко Белорусского государственного университета, г. Минск
Поступила в редакцию: 18.06.1985 Принята в печать: 12.07.1985
Образец цитирования:
П. А. Александров, Е. К. Баранова, К. Д. Демаков, Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, С. Ю. Ширяев, “Синтез монокристаллического карбида кремния с помощью одношаговой
техники высокоинтенсивного ионного легирования”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 149–152
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts30 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i1/p149
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 73 | PDF полного текста: | 46 |
|