Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7, страницы 1281–1287 (Mi phts299)  

Экситоны в структурах с квантовыми ямами

Ал. Л. Эфрос

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
Аннотация: Аналитически исследуется зависимость структуры спектра экситонных переходов от толщины квантовой ямы d. Показано, что в случае, когда толщина d много меньше боровского радиуса экситона, задача сводится к решению одномерного уравнения Шредингера, полученного в адиабатическом приближении и описывающего движение дырки. Использование этого уравнения позволило в двух предельных случаях точно найти структуру экситонного спектра. Показано также, что если da, то зависимость экситонных переходов от толщины ямы d определяется размерным квантованием экситона как целого. Указаны пределы, в которых полученные результаты могут применяться для полупроводников с вырожденной валентной зоной.
Поступила в редакцию: 02.12.1985
Принята в печать: 23.01.1986
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Образец цитирования: Ал. Л. Эфрос, “Экситоны в структурах с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1281–1287
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Efr86}
\by Ал.~Л.~Эфрос
\paper Экситоны в~структурах с~квантовыми ямами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 7
\pages 1281--1287
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts299}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts299
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i7/p1281
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:129
    PDF полного текста:137
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025