|
Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7, страницы 1281–1287
(Mi phts299)
|
|
|
|
Экситоны в структурах с квантовыми ямами
Ал. Л. Эфрос Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
Аннотация:
Аналитически исследуется зависимость структуры
спектра экситонных переходов от толщины квантовой ямы d. Показано, что
в случае, когда толщина d много меньше боровского радиуса экситона, задача
сводится к решению одномерного уравнения Шредингера, полученного в
адиабатическом приближении и описывающего движение дырки. Использование
этого уравнения позволило в двух предельных случаях точно найти
структуру экситонного спектра. Показано также, что если d≫a, то
зависимость экситонных переходов от толщины ямы d определяется размерным
квантованием экситона как целого. Указаны пределы, в которых полученные
результаты могут применяться для полупроводников с вырожденной
валентной зоной.
Поступила в редакцию: 02.12.1985 Принята в печать: 23.01.1986
Образец цитирования:
Ал. Л. Эфрос, “Экситоны в структурах с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1281–1287
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts299 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i7/p1281
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 129 | PDF полного текста: | 137 |
|