Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 7, страницы 1196–1198 (Mi phts2939)  

Резонансный эффект Фарадея в ограниченной двумерной электронной системе

Л. А. Галченков, И. М. Гродненский, М. В. Костовецкий, О. Р. Матов, Б. А. Медведев, В. Г. Мокеров
Аннотация: Обнаружен резонансный максимум в полевых зависимостях угла вращения плоскости поляризации и эллиптичности излучения, прошедшего через ограниченный двумерный (2D) электронный слой. Эффект возникает из-за возбуждения краевых магнитоплазмонов (КМП) и наблюдается тогда, когда частота излучения находится вблизи частоты основной моды КМП.
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. А. Галченков, И. М. Гродненский, М. В. Костовецкий, О. Р. Матов, Б. А. Медведев, В. Г. Мокеров, “Резонансный эффект Фарадея в ограниченной двумерной электронной системе”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1196–1198
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Mok88}
\by Л.~А.~Галченков, И.~М.~Гродненский, М.~В.~Костовецкий, О.~Р.~Матов, Б.~А.~Медведев, В.~Г.~Мокеров
\paper Резонансный эффект Фарадея в~ограниченной двумерной электронной
системе
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1988
\vol 22
\issue 7
\pages 1196--1198
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts2939}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts2939
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v22/i7/p1196
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:49
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025