|
Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7, страницы 1239–1242
(Mi phts291)
|
|
|
|
Исследование протекания тока в субмикронных полупроводниковых
структурах при низких температурах
В. А. Беспалов, К. О. Болтарь, В. А. Федирко, Г. Ю. Хренов
Аннотация:
Экспериментально исследованы вольтамперные характеристики
субмикронных диодных полупроводниковых структур на основе GaAs
при температурах 4.2÷100 K. Показано, что
режим протекания тока в образцах может рассматриваться как баллистический.
Поступила в редакцию: 18.11.1985 Принята в печать: 06.01.1986
Образец цитирования:
В. А. Беспалов, К. О. Болтарь, В. А. Федирко, Г. Ю. Хренов, “Исследование протекания тока в субмикронных полупроводниковых
структурах при низких температурах”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1239–1242
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts291 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i7/p1239
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 60 | PDF полного текста: | 32 |
|