Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 6, страницы 1057–1061 (Mi phts2902)  

Междоузельный дефект низкой симметрии в кремнии, облученном нейтронами

А. В. Двуреченский, А. А. Каранович
Аннотация: Методом ЭПР обнаружен и исследован новый парамагнитный центр, названный нами Н12, в кремнии, облученном большими дозами нейтронов. Наблюдаемая концентрация центров Н12 составляет 1016см3 при дозе облучения 1019см2 и не зависит от типа легирующей примеси и способа выращивания кристалла. Угловая зависимость спектра описывается спиновым гамильтонианом с электронным спином s=1/2 и ˆg-тензором, характеризующимся симметрией C1 (либо Ci). Сверхтонкая структура (СТС) спектра Н12 содержит три группы линий и соответствует одному, двум и двум-трем узлам в нулевой, первой и второй оболочках дефекта соответственно. Высокотемпературное (T=100÷200С) одноосное сжатие приводит к частичной переориентации дефекта, которая характеризуется энергией активации Ea1 эВ и частотным фактором ν01013с1. На основании структуры ближайшего окружения дефекта, его симметрии, а также близости параметров СТС и ˆg-тензоров спектров Н12 и {\it P6
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Двуреченский, А. А. Каранович, “Междоузельный дефект низкой симметрии в кремнии, облученном нейтронами”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1057–1061
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Dvu88}
\by А.~В.~Двуреченский, А.~А.~Каранович
\paper Междоузельный дефект низкой симметрии в~кремнии, облученном нейтронами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1988
\vol 22
\issue 6
\pages 1057--1061
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts2902}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts2902
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v22/i6/p1057
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:60
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025