|
Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 4, страницы 664–669
(Mi phts2814)
|
|
|
|
Синие SiC-$6H$-светодиоды
Б. И. Вишневская, В. А. Дмитриев, И. Д. Коваленко, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, В. С. Родкин, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков
Аннотация:
Представлены электрические и электролюминесцентные
характеристики и параметры светодиодов синего свечения,
изготовленных на основе карбида кремния политипа $6H$. $p{-}n$-Структуры изготавливались методом бесконтейнерной
жидкостной эпитаксии на подложках $n\text{-SiC-}6H$; $n$-слой содержал азот,
$p$-слой был легирован алюминием. $p{-}n$-Переход резкий, емкостное напряжение отсечки 2.6 В (293 K).
Площадь $p{-}n$-перехода светодиодной меза-структуры порядка
$10^{-3}\,\text{см}^{2}$. Свет выводился через $n$-подложку. Максимум спектра электролюминесценции расположен в синей области.
Зависимость интенсивности люминесценции от тока близка к линейной.
Внешний квантовый выход равен $10^{-4}$ (293 K) и уменьшается
с ростом температуры. Сила света светодиодов с полушириной
диаграммы направленности излучения $12^{\circ}$ равна 2 мкд при токе
20 мА и 293 K (напряжение 3.4 В). Быстродействие светодиода порядка 1 мкс.
Образец цитирования:
Б. И. Вишневская, В. А. Дмитриев, И. Д. Коваленко, Л. М. Коган, Я. В. Морозенко, В. С. Родкин, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, “Синие SiC-$6H$-светодиоды”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 664–669
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts2814 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v22/i4/p664
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 55 | PDF полного текста: | 17 |
|