|
Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 7, страницы 1190–1194
(Mi phts281)
|
|
|
|
Хаотические автоколебания фотопроводимости $n$-Ge(Ni)
С. Б. Бумялене, К. А. Пирагас, Ю. К. Пожела, А. В. Тамашявичюс Институт физики полупроводников АН ЛитССР
Аннотация:
Исследованы спонтанные автоколебания фотопроводимости
германия $n$-типа, компенсированного никелем, возникающие при разогреве
носителей заряда электрическим полем. Обнаружено, что с повышением
напряженности ноля эти колебания превращаются из периодических в хаотические,
имеющие сплошной спектр в интервале частот 5$-$15 кГц. Установлено, что
неустойчивость развивается при положительной дифференциальной проводимости
в пространственно однородных условиях. Рассмотрена модель стохастической
рекомбинационной неустойчивости, в трехуровневой системе. Проведен анализ
уравнений динамики рекомбинации горячих электронов
через отталкивающие центры никеля и собственные дислокации.
Поступила в редакцию: 02.12.1985 Принята в печать: 14.12.1985
Образец цитирования:
С. Б. Бумялене, К. А. Пирагас, Ю. К. Пожела, А. В. Тамашявичюс, “Хаотические автоколебания фотопроводимости $n$-Ge(Ni)”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1190–1194
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts281 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v20/i7/p1190
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 63 | PDF полного текста: | 36 |
|