|
Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 3, страницы 455–460
(Mi phts2761)
|
|
|
|
Динамика пробоя мелких акцепторов в германии в сильных электрических
полях
А. Ю. Даргис, С. В. Жураускас
Аннотация:
Исследована динамика пробоя мелких примесей
в дырочном германии при гелиевых температурах в наносекундном диапазоне
времен и измерена зависимость коэффициента ударной ионизации $A_{i}$
от электрического поля в диапазоне ${E=10\div500}$ В/см. Найдено, что
в сильных полях (${E>100}$ В/см) $A_{i}$ — насыщается. Из сравнения
теоретических расчетов с экспериментальными данными определено
боровское сечение для ударной ионизации примесей галлия в
германии ${\sigma_{0}=7\cdot10^{-13}\,\text{см}^{2}}$.
Образец цитирования:
А. Ю. Даргис, С. В. Жураускас, “Динамика пробоя мелких акцепторов в германии в сильных электрических
полях”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 455–460
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts2761 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v22/i3/p455
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 57 | PDF полного текста: | 15 |
|