Электрические характеристики эпитаксиальных $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$

Изготовлены эпитаксиальные $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структуры на основе карбида кремния политипа $6H$ с напряжением пробоя свыше 300 В и на прямые токи ${\sim1}$ А (${j\sim 200\,\text{А/см}^{2}}$) при напряжениях ${\sim4}$ В, работоспособные до температур ${\sim800}$ K. Обратные токи при температуре 720 K и напряжении ${\sim300}$ В составляют ${\sim10^{-6}}$ А.
Эффективное время жизни неосновных носителей в слое объемного заряда при высоких температурах в предположении модели Шокли–Нойса–Саа составляет ${\sim10}$ нс.