Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким $p{-}n$-переходом

Установлено, что электростатические свойства эпитаксиальных SiC-$6H$ $p$(А1)${-}n(N)$-структур с резким $p{-}n$-переходом в широком интервале температур (${300\div800}$ K) соответствуют теории Шокли, и на основании этого определены их электростатические параметры.
Показано, что уменьшение диффузионной разности потенциалов на $p{-}n$-переходе с ростом температуры определяется главным образом температурным ходом химических потенциалов электронов в $n$-области и дырок в $p$-области, а не температурной зависимостью ширины запретной зоны.